C-kaistainen 100 W pulssitilavahvistin-

C-kaista on perinteinen satelliittiviestinnän ydintaajuuskaista. Erinomaisten etenemisominaisuuksiensa ja sateen haalistumisenkestävyyden ansiosta sitä käytetään edelleen laajalti kaupallisissa satelliittien konstellaatioissa, maavaraasemissa ja matkaviestinjärjestelmissä. Vastauksena tyypilliseen pulssitehonvahvistuksen tarpeeseen tällä taajuusalueella olemme ottaneet käyttöön C-Band 100W pulssillisen solid-{5}}State-vahvistimen, joka on suunniteltu tarjoamaan käyttäjille erittäin integroitu, pitkä{6}kesto ja helppo-ylläpitää{{8}tehonvahvistusratkaisu.

Tässä tuotteessa käytetään laajasti korkean{0}}lineaarisuuden galliumarseniditehotransistoreja, mikä luo perustan korkealle lineaariselle ja korkealle luotettavuudelle komponenttitasolla. Monivaiheisen -vahvistusketjun optimoidun suunnittelun ja pienen-häviöisen tehon yhdistävän verkon tarkan virityksen ansiosta yksikkö voi tuottaa vakaasti 100 W pulssitehoa C--kaistalla, mikä täyttää keskipitkän- - pitkän-kantaman signaalin kattavuuden ja korkean{{8} antennin syöttötason vaatimukset. Tuote on nyt valmistunut lopulliseen suunnitteluun ja käyty läpi useita luotettavuustestejä. Sen tekniset tiedot on viimeistelty, sen tuotantoprosessi on{11}}tarkoin määritelty, ja se pystyy täyttämään joukkotilausten nopeat toimitusvaatimukset.

Koko yksikkö koostuu kahdesta päämoduulista: virtalähde- ja ohjausmoduulista sekä RF-linkkimoduulista. Nämä kaksi moduulia toimivat yhdessä muuntaakseen tasavirtatehoa tehokkaasti RF-pulssitehoksi.

Virtalähde ja ohjausmoduulit

Vastaa ensisijaisen virtalähteen muuntamisesta ulkoisesta lähteestä toissijaisiksi virtalähteiksi, joita RF-piirin eri vaiheet vaativat, sekä järjestelmän -laajuisen ajoituksen ohjauksen, tilan valvonnan ja vikasuojauksen toteuttamisesta. Siinä on sisäänrakennettu-tarkkuus jännitteensäätöverkko ja pulssimodulaatiopiiri, joka mahdollistaa RF-pulssien nousevan reunan, laskevan reunan ja pulssinleveyden parametrien tarkan ohjauksen vasteena ulkoisiin liipaisusignaaleihin. Sisäänrakennetut -monitasoiset-suojausmekanismit: sisääntulo-alijännite-/ylijännitesuoja-, ulostulon ylivirtasuoja, tehovahvistimen transistorin yli-lämpötilasuoja ja antenniportin seisontaaaltosuhteen (SWR) poikkeamien suojaus. Kun poikkeama havaitaan, suojapiiri reagoi mikrosekunnissa, katkaisee nopeasti RF-lähdön ja ilmoittaa vikakoodin. Virtalähdemoduulissa käytetään erittäin luotettavia teollisuuskomponentteja, ja se on käsitelty kolminkertaisella pinnoitteella, mikä tekee siitä sopivan erilaisiin käyttöympäristöihin, kuten maaperään{14}}kiinteisiin asemiin ja ajoneuvoon{15}}asennettaviin järjestelmiin.

RF-linkkimoduuli

Radiotaajuuslinkit on jaettu kolmeen toiminnalliseen yksikköön signaalin virtausjärjestyksessä:

• Kuljettajan vaihe:Tämä vaihe sijaitsee aivan ketjun etupäässä ja tarjoaa alustavahvistuksen pienelle-signaaliheräteelle ulkoisesta tulosta. Käytössä on matala-kohinainen, korkea-vahvistus galliumarsenidi-MMIC-vahvistinsiru, joka tuottaa noin 20 dB vahvistuksen säilyttäen samalla alhaisen kohinaluvun, mikä antaa riittävät taajuusmuuttajat seuraavalle tehovaiheelle.
• Tehonyhdistäjäyksikkö:Koostuu useista GaAs-tehovahvistinsiruista lähtövaiheessa, laajakaistasovitusverkosta ja pieni{0}}tehoyhdistimestä. Jokainen tehovahvistinsiru käy läpi tiukan seulonnan, jotta varmistetaan kylläisyyden lähtötehon ja vahvistuksen yhdenmukaisuus. Syntetisaattori käyttää hybridi-mikroliuska-/aaltoputkirakennetta, joka saavuttaa alle 0,5 dB:n synteesihäviön C--kaistalla ja yhdistää tehokkaasti useiden tehovahvistimien lähdöt yhdeksi suureksi{5}}tehosignaaliksi. Synteettinen verkko sisältää eristysvastuksia ja absorptiokuormituksen, joka parantaa portin seisovan aallon suhdetta ja vaimentaa tasaisen-järjestyksen harmonisia.
• Kytketty ilmaisinyksikkö:Sijaitsee RF-linkin lähtöpäässä, se koostuu suuntakytkimestä ja ilmaisindiodista, jotka näyttelevät myötäsuuntaista tehoa ja vastaavasti heijastustehoa. Kaksi tunnistuslähtöä lähetetään ohjausmoduulin ADC-liitäntään; digitaalisen käsittelyn jälkeen niitä käytetään suljetun-silmukan lähtötehon säätöön ja reaaliaikaiseen-VSWR-laskentaan. Käyttäjät voivat lukea asiaankuuluvia parametreja isäntätietokoneen kautta, mikä helpottaa järjestelmätason kunnonhallintaa.

Korkea lineaarisuus

Tuotteen korkea lineaarisuus johtuu syvästä synergiasta taustalla olevien komponenttien ja järjestelmäarkkitehtuurin välillä. Koko yksikkö käyttää korkean-lineaarisuuden galliumarseniditehotransistoreja, mikä luo erinomaisen perustan lineaariselle fyysisellä tasolla. Samaan aikaan monivaiheisen-vahvistusketjun perusteellisen optimoinnin ja-hävikin tehon yhdistävän verkon tarkan virityksen ansiosta epälineaariset vääristymät kaskadi- ja yhdistämisprosessien aikana on estetty tehokkaasti. Tämä integroitu laitteisto- ja ohjelmistorakenne varmistaa vakaan 100 W:n pulssitehon C--kaistalla samalla kun maksimoi signaalin puhtauden ja vähentää merkittävästi keskinäismodulaatiosäröä. Se täyttää täydellisesti tiukat vaatimukset korkean-RF-signaaleille keskipitkällä{10}} ja pitkällä{11}}signaalin peitolla ja korkealla{{12}-antennisyöttöllä.

Ylivertainen lämpösuunnittelu ja rakennesuunnittelu

Tehovahvistinputket käyttävät substraattina kupari-molybdeeniseoksesta valmistettua alustaa, jolla on korkea lämmönjohtavuus, ja ne on juotettu tukevasti mukautetun jäähdytyslevyn päälle tyhjiöjuottoprosessilla. Jäähdytyselementin alustassa on riparakenne, joka lisää konvektiivista lämmönsiirtoaluetta ja varmistaa, että suuttimen liitoslämpötila pysyy sallitulla alueella korkean -käyttöjakson-pulssitoiminnan aikana. Rakennekomponenttien työstössä käytetään tarkkuustyöstökeskuksia, jotka on varustettu CNC-poraus- ja jyrsinkoneilla, lanka{5}}leikkaus-EDM-koneilla ja EDM-laitteilla. Tämä mahdollistaa monimutkaisten virtauskanavien ja ohutseinäisten onteloiden-tarkkuuden. Erityisesti olemme keränneet laajoja prosessiparametreja ohutseinäisten tarkkuusosien muodonmuutosten hallintaan, RF-onteloiden yhtenäisyyden varmistamiseen ja kokoonpanorasituksen vaikutuksen RF-suorituskykyyn minimoimiseen.

Joustavat käyttöliittymät ja mukautusmahdollisuudet

Tuotteessa on vakiona RF-tulo/lähtöliitännät sekä moninastainen ohjausliitäntä. Käyttäjät voivat lähettää ulkoisia liipaisupulsseja ja aktivointisignaaleja ohjausliitännän kautta sekä lukea tehovahvistimen tilailmaisimia. Virtalähde tukee useita jännitevaihtoehtoja, joten se on helppo integroida erilaisiin virtalähdealustoihin. Sen mittoja voidaan hieman säätää sopimaan käyttäjän kaappi- tai runkotilaan, ja se tukee mukautettuja asennuslaippoja ja paneeliasetteluja. Jos tarvitset mukautetun C-Band 100W pulssitilavahvistimen, voimme tarjota räätälöidyn suunnitteluratkaisun, joka perustuu tiettyihin taajuuspisteisiin, liitäntätyyppeihin ja lämmönhallintavaatimuksiin.

Kypsän teknologian tila

Tuote on suorittanut suunnittelun viimeistelyn ja useiden luotettavuustestien kierroksen; sen tekniset tiedot on viimeistelty ja se on valmis massatuotantoon. Standardoidut menettelyt ovat käytössä koko prosessin ajan-komponenttien seulonnasta lopulliseen yksikkötestaukseen-, joilla varmistetaan, että jokainen toimitettu yksikkö tarjoaa tasaisen suorituskyvyn ja vakaan laadun.

• Kaupalliset matalan{0}}Maan kiertoradan (LEO)/Keski-Maan kiertoradan (MEO) satelliittitähtikuviot: Näitä laitteita käytetään suuritehoisina-nousevan siirtotien vahvistimina maayhdyskäytäväasemilla, ja ne vahvistavat kantataajuussignaalit vaaditulle tehotasolle ja lähettävät ne suurten -aukkoisten antennien kautta kiertoradalla oleville satelliiteille. Pulssikäyttötila on yhteensopiva aikajakoisen monipääsyn (TDMA) tai purskeviestintäprotokollien kanssa, mikä lisää nousevan siirtotien marginaalia.
• Maassa{0}} ja ilmassa olevat viestintäjärjestelmät:Mobiiliviestintäajoneuvojen tai UAV-välitysalustojen RF-etu{0}}lähetyskanavan ydinkomponenttina se tarjoaa vakaan pulssitehotehon ja on suunniteltu kestämään monimutkaisia ​​ympäristöolosuhteita, kuten tärinää ja lämpötilan vaihteluita.
• Vaiheittainen{0}}ryhmäantennijärjestelmät ja tutka:Antenniryhmien aktiivisina lähetyskanavina ne toimivat yhdessä säteenohjausverkkojen kanssa mahdollistaen nopean keilan skannauksen. Pulssitehovahvistimien nopeat kytkentäominaisuudet täyttävät pulssimodulaatiovaatimukset, kun taas suuri{1}}tehoteho parantaa järjestelmän tunnistus- ja tietoliikennepeittokykyä.
• Electronic Warfare Support System: Toimii radiotaajuisena virtalähteenä elektronisille vastatoimille ja tukilaitteille. Se tarjoaa korkean-tehoisen, nopean-vasteisen pulssilähdön, joka täyttää signaalin lähetysvaatimukset monimutkaisissa sähkömagneettisissa ympäristöissä.
• Testaus- ja mittauslaitteet:Voidaan käyttää RF-virtalähteenä laboratorioissa, kuten antennikuvioiden testauksessa, RF-laitteiden tehonkäsittelyn testauksessa ja sähkömagneettisen yhteensopivuuden (EMC) sietotestauksessa.

Täydellinen prosessin laadunvalvonta

Komponenttien seulonnasta saapumisen yhteydessä ja korkeassa-lämpötilassa vanhentamiseen, yhden-levyn juottamiseen ja moduulien kokoamiseen ja lopulliseen järjestelmän virheenkorjaukseen ja ympäristötestaukseen, jokaisen vaiheen hoitaa omistettu henkilöstö käyttämällä erikoislaitteita. Kaikki aktiiviset komponentit ja kriittiset vastukset, kondensaattorit ja induktorit käyvät läpi 100 %:n parametritestauksen niiden saapuessa, jotta voidaan eliminoida komponentit, jotka ovat alttiita vioittumiselle. Kokoonpanon jälkeen jokainen valmis yksikkö käy läpi kattavan testausprosessin, joka sisältää ympäristön-lämpötilojen virheenkorjauksen, korkean-lämpötilojen syklisen vanhenemisen, korkean- ja matalan-lämpötilan testauksen, tärinä- ja iskutestauksen sekä tehovanhenemistarkastuksen. Kaikki testitiedot tallennetaan automaattisesti tietokantaan, mikä takaa täydellisen jäljitettävyyden tuotteen koko elinkaaren ajan.

Tarkkuustyöstö ja mikroaaltopiirien valmistusominaisuudet

Tarkkuustyöstökeskuksella, jossa on CNC-poraus- ja jyrsinkoneet, lanka{0}}leikkaus-EDM-koneet ja EDM-laitteet, pystymme työstämään monimutkaisia, ohutseinäisiä{1}}rakennekomponentteja, joita tarvitaan sekä avaruus- että maa{2}}laitteisiin. Erityisesti olemme hallinnassa passiivisissa mikroaaltokomponenteissa tarvittavien ohutseinäisten rakenteiden tarkkoja muodonmuutosten hallintamenetelmiä. Mikroaaltopiirien valmistuksen alalla meillä on erikoislaitteita, kuten sputterointiasemia, litografiajärjestelmiä ja lankaliittimiä, ja meillä on kyky tuottaa erittäin-tarkkoja keraamisia mikroliuskapiirejä ja erittäin integroituja piirilevykokoonpanoja. Olemme keränneet laajan prosessikokemuksen substraattien kantoaaltoliitännöistä ja komponenttien yhteenliittämisestä sisäisten mikroaaltolaitteiden-suunnassa, mikä varmistaa RF-yhteyksien johdonmukaisuuden ja luotettavuuden.

Standardoitu tuotanto ja massatoimitus

Tuotteemme ovat teknisesti vakaita, valmistusdokumentaatiomme on täydellinen ja testausmenettelymme ovat standardoituja, joten voimme käsitellä useita tuotantoeriä samanaikaisesti. Ammattimaisena C-Band 100W pulssisolid-state-vahvistimen-valmistajana tarjoamme -päähän-palveluita komponenttien valinnasta ja piirisuunnittelusta lopputuotteen testaukseen. Satelliitti-sovelluksiin tai korkean{8}}luotettaviin maapohjaisiin-sovelluksiin voimme myös sisällyttää lisävalidointitestejä,-kuten säteilytestausta ja lämpötyhjiötestausta-asiakkaan vaatimalla tavalla.

Kiitos mielenkiinnostasi C-Band 100 W:n pulssitilavahvistimeamme kohtaan. Jos haluat lisätietoja tuotteesta, saada tietolomakkeen tai pyytää tarjouksen, ota rohkeasti yhteyttä seuraavilla tavoilla:

Sähköposti:info@satgroundapplication.com

Anna seuraavat tiedot parhaan kykysi mukaan, jotta voimme löytää sinulle nopeasti optimaalisen ratkaisun:

• Erityiset toimintataajuuskaista- ja kaistanleveysvaatimukset;
• Pulssin leveys, käyttösuhde ja lähtötehovaatimukset;
• RF-liitäntätyyppi ja rakenteelliset asennusvaatimukset;
• Arvioitu ostomäärä ja toimitusaikatauluvaatimukset.

Järjestämme ammattitaitoisen insinöörin ottavan sinuun yhteyttä 24 tunnin kuluessa toimittaaksemme yksityiskohtaisen teknisen dokumentaation ja tarkan tarjouksen. Olemme sitoutuneet säilyttämään tiukan luottamuksellisuuden kaikissa tiedusteluissa; teknisiä tietojasi ja projektitietojasi käytetään yksinomaan ratkaisuehdotukseen.